全部分类/
科学普及/
电子元件与材料

电子元件与材料

2026年04期

扫码免费借阅

综述与评论 | 热敏陶瓷材料研究进展

综述与评论 | 热敏陶瓷材料研究进展

摘要：热敏陶瓷作为重要的功能陶瓷材料，凭借其稳定性高、灵敏度优良及制备成本低等优势，在电子、电力、新能源及航天装备等领域得到广泛应用。典型的热敏陶瓷包括正温度系数（PTC）和负温度系数（NTC）两大类，相关研究重点集中于钙钛矿与尖晶石结构材料。系统归纳并分析了PTC与NTC热敏陶瓷的导电机理、材料体系构建、缺陷调控策略、制备工艺及金属化技术发展现状。不同晶体结构与材料体系虽表现出不同的导电机理及
研究与试制 | 激光刻蚀-等离子活化对PI/Cu界面结合强度增强机理研究

研究与试制 | 激光刻蚀-等离子活化对PI/Cu界面结合强度增强机理研究

摘要：针对刚性聚酰亚胺（PI）表面化学惰性强、与铜（Cu）层结合强度低的问题，提出了一种激光刻蚀与等离子活化协同的改性技术以提升PI/Cu界面结合强度与一致性。设计了正交实验优化激光刻蚀参数（扫描间距、扫描速度、重复频率、激光功率），并结合O2/N2等离子活化处理制备样件，开展系统表征。结果表明，采用激光扫描间距10 μm、速度100 mm/s、频率50 kHz、功率3 W 刻蚀并辅以60 mi
研究与试制 | 基于LTCC的内嵌金属柱微流道结构设计研究

研究与试制 | 基于LTCC的内嵌金属柱微流道结构设计研究

摘要：随着电子器件向高功率密度、小型化方向快速发展，芯片的高效散热已成为制约其性能与可靠性的关键技术瓶颈，微流道冷却技术凭借其优异的散热能力而备受关注。本文提出一种基于低温共烧陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramic，LTCC）的内嵌金属柱微流道结构，通过多物理场仿真研究金属柱的空间排布、截面形状、尺寸及流速等因素对小尺寸微流道结构散热性能与压降的影响。研究结果表明
研究与试制 | 一种无耗尽型场效应管的低功耗电压基准电路

研究与试制 | 一种无耗尽型场效应管的低功耗电压基准电路

摘要：针对传统基准电压电路成本高和功耗大的问题，设计了一种低成本、低功耗的电压基准电路。该电路采用工作在亚阈值区的MOS管，利用其阈值电压VTH的负温度系数特性，结合亚阈值区栅极耦合MOSFET单元生成的正温度系数电压，通过正负温度系数电压叠加的方式实现更低的温度系数。电路基于0.18 μm BCD工艺，在Cadence Spectre环境下进行仿真。结果显示：在-40～125 ℃温度范围内，电
研究与试制 | 面向IoT终端低功耗快速瞬态响应全集成LDO设计

研究与试制 | 面向IoT终端低功耗快速瞬态响应全集成LDO设计

摘要：为了满足物联网（IoT）终端对电源管理芯片高集成度、低功耗与快速瞬态响应的需求，提出了一种全集成低压差线性稳压器（LDO）。该电路采用亚阈值CMOS电压基准电路和自适应偏置电流电路，减小了LDO面积并降低了功耗。采用带局部共模反馈电路的误差放大器、超级源跟随器、瞬态增强电路和衬底调制放大器改善LDO的瞬态响应性能。该电路基于SMIC 55 nm CMOS工艺设计和验证，结果表明：该LDO在
研究与试制 | 一种Brokaw型高电源抑制低温漂基准电压源

研究与试制 | 一种Brokaw型高电源抑制低温漂基准电压源

摘要：针对传统Brokaw型带隙基准电路在宽温域环境下温度漂移较大以及无运放架构固有的电源抑制性能受限等问题，基于东部高科0.18 μm BCD工艺，提出了一种高电源抑制低温漂的带隙基准电路。电路采用分段温度补偿技术，在低温段和高温段分别引入补偿电流，大幅降低了温度系数。设计了一种BJT自钳位结构，摒弃了传统的运算放大器钳位方案，进而有效降低电路复杂度与功耗，并引入新型负反馈环路以补偿无运放架构
研究与试制 | 应用于5G与Wi-Fi 7的双频MIMO天线设计

研究与试制 | 应用于5G与Wi-Fi 7的双频MIMO天线设计

摘要：针对5G与下一代无线局域网Wi-Fi 7对天线高速率、高隔离度的需求，设计了一款应用于5G通信（1.98～2.01 GHz，2.17～2.2 GHz）以及Wi-Fi 7的2.4，5，6 GHz频段的双频MIMO天线。该天线采用槽天线的形式，并且使用共面波导（CPW）的馈电方式。天线通过在馈线端加入三叉戟结构枝节来扩展天线的工作带宽，并通过在辐射贴片上加载半椭圆环形槽实现双频特性。天线尺寸为
研究与试制 | 基于粘接层参数优化的磁电天线性能调控

研究与试制 | 基于粘接层参数优化的磁电天线性能调控

摘要：多铁性磁电材料凭借其磁电效应，在新型磁电器件领域展现出重要的应用价值，层状复合结构是实现磁电耦合的有效途径，而其粘接层的材料参数、几何特性会影响天线的磁电耦合系数、谐振频率和发射性能等。因此，本文针对由压电陶瓷（PZT-5H）/磁致伸缩材料（Metglas）构成的层状磁电天线，通过调控环氧树脂粘接层的厚度和硬度，并结合理论分析与实验验证，揭示了粘接层特性与磁电天线性能之间的内在关联。结果表
研究与试制 | 一种天顶零点填充的圆极化全向天线

研究与试制 | 一种天顶零点填充的圆极化全向天线

摘要：针对传统螺旋天线存在天顶扫描盲区的问题，提出了一种基于法向模螺旋和等效短振子混合辐射机制的天顶零点填充圆极化全向天线。为实现全向圆极化方向图，选取法向模螺旋天线作为主辐射单元；等效短振子则通过馈电开槽线与阻抗过渡结构协同构建，作为辅助辐射单元，形成沿其轴向的全向辐射方向图。通过两种辐射模式的合成，实现了天顶方向零点填充的全向圆极化辐射特性。测试结果表明，该天线在1.48～1.67 GHz频
研究与试制 | 无铅双钙钛矿忆阻器的制备及其神经形态计算

研究与试制 | 无铅双钙钛矿忆阻器的制备及其神经形态计算

摘要：针对铅基钙钛矿存在毒性及稳定性的问题，本文聚焦环境友好的无铅双钙钛矿Cs2AgBiBr6，开展忆阻特性与神经形态应用研究。采用乙酸甲酯反溶剂辅助旋涂法，在FTO衬底上制备了表面平整致密的Cs2AgBiBr6薄膜，其均方根粗糙度与平均粗糙度分别为6.96 nm和5.65 nm。以此薄膜为功能层，构建了FTO/Cs2AgBiBr6/Ag忆阻器，该器件展现出稳定的双极型阻变特性，工作电压为+1.
研究与试制 | 基于GaN器件的宇航高效高功率密度DC/DC变换器设计

研究与试制 | 基于GaN器件的宇航高效高功率密度DC/DC变换器设计

摘要：为了进一步提升宇航DC/DC变换器的效率和功率密度，满足新一代航天任务的发展需求，提出了一种采用同步整流的高效抗辐照DC/DC变换器拓扑结构，采用第三代半导体GaN功率器件实现。首先阐述了抗辐照PWM控制策略、GaN器件高可靠驱动电路以及高频低损耗磁元件设计等关键技术方法；其次对抗辐照DC/DC变换器的转换效率进行了详细分析，对比了GaN HEMT和Si MOSFET的功率损耗；最后对抗辐
研究与试制 | 一种忆阻超混沌系统驱动的缩略图保留图像加密方案

研究与试制 | 一种忆阻超混沌系统驱动的缩略图保留图像加密方案

摘要：目前，图像保留缩略图加密技术已成为研究热点。本文通过构建一种具有高复杂度动力学特性的忆阻超混沌系统，并基于该系统设计了一种保留缩略图的图像加密方案。首先，提出一种新的离散忆阻混沌模型，通过Lyapunov指数谱与谱熵等指标，验证其在较大参数空间内呈现超混沌与高复杂度行为。随后，基于该系统生成的混沌序列，构建“保和扩散和排序置乱”相结合的TPE（Thumbnail-Preserving En
技术与应用 | 基于介电屏蔽效应的h-BN/MoS2异质结光伏材料性能增强研究

技术与应用 | 基于介电屏蔽效应的h-BN/MoS2异质结光伏材料性能增强研究

摘要：基于六方氮化硼/二硫化钼（h-BN/MoS2）异质结构，设计并制备了一种新型半导体光伏材料，并系统探究了其介电屏蔽效应对光电性能及环保应用的影响。实验采用化学气相沉积法在SiO2衬底上生长MoS2薄膜，随后原位沉积h-BN屏蔽层，形成h-BN/MoS2异质结，并进一步组装为太阳能电池。通过光致发光光谱、扫描电子显微镜、光学吸收谱及外量子效率测试，深入分析了材料的激子行为、形貌结构、光学吸收
技术与应用 | 弯曲应力作用下MLCC断裂失效机理研究

技术与应用 | 弯曲应力作用下MLCC断裂失效机理研究

摘要：多层片式陶瓷电容（MLCC）因其材料特性极易在外部应力的作用下出现裂纹甚至断裂。为明确电路板弯曲过程中MLCC断裂失效的内在作用机制，利用仿真和试验相结合的方法，针对不同尺寸规格、应力水平、安装位置的MLCC，从多维度探究其应力分布规律，并对其失效概率以及断裂失效机理进行了验证分析。研究结果表明：相同应力作用下，电路板长度与最大形变量呈指数关系，与弯曲曲率呈线性关系；MLCC陶瓷体与Cu焊
技术与应用 | 基于背接触界面工程的硒化锑太阳电池性能提升机制研究

技术与应用 | 基于背接触界面工程的硒化锑太阳电池性能提升机制研究

摘要：硒化锑（Sb2Se3）薄膜太阳能电池具有优异的光电特性和应用潜力，但其大面积制备与产业化应用仍受有机空穴传输材料稳定性差、可重复性不足等问题制约。为提升器件性能与工艺稳定性，采用磁控溅射法制备氧化镍（NiOX）空穴传输层，系统考察了工作气压、溅射功率和沉积时间对NiOX薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响。结果表明，经工艺优化后，NiOX薄膜的结晶性和致密性均显著提高，与Sb2Se3吸收层形

电子元件与材料

目录

综述与评论 | 热敏陶瓷材料研究进展

综述与评论 | 热敏陶瓷材料研究进展

研究与试制 | 激光刻蚀-等离子活化对PI/Cu界面结合强度增强机理研究

研究与试制 | 激光刻蚀-等离子活化对PI/Cu界面结合强度增强机理研究

研究与试制 | 基于LTCC的内嵌金属柱微流道结构设计研究

研究与试制 | 基于LTCC的内嵌金属柱微流道结构设计研究

研究与试制 | 一种无耗尽型场效应管的低功耗电压基准电路

研究与试制 | 一种无耗尽型场效应管的低功耗电压基准电路

研究与试制 | 面向IoT终端低功耗快速瞬态响应全集成LDO设计

研究与试制 | 面向IoT终端低功耗快速瞬态响应全集成LDO设计

研究与试制 | 一种Brokaw型高电源抑制低温漂基准电压源

研究与试制 | 一种Brokaw型高电源抑制低温漂基准电压源

研究与试制 | 应用于5G与Wi-Fi 7的双频MIMO天线设计

研究与试制 | 应用于5G与Wi-Fi 7的双频MIMO天线设计

研究与试制 | 基于粘接层参数优化的磁电天线性能调控

研究与试制 | 基于粘接层参数优化的磁电天线性能调控

研究与试制 | 一种天顶零点填充的圆极化全向天线

研究与试制 | 一种天顶零点填充的圆极化全向天线

研究与试制 | 无铅双钙钛矿忆阻器的制备及其神经形态计算

研究与试制 | 无铅双钙钛矿忆阻器的制备及其神经形态计算

研究与试制 | 基于GaN器件的宇航高效高功率密度DC/DC变换器设计

研究与试制 | 基于GaN器件的宇航高效高功率密度DC/DC变换器设计

研究与试制 | 一种忆阻超混沌系统驱动的缩略图保留图像加密方案

研究与试制 | 一种忆阻超混沌系统驱动的缩略图保留图像加密方案

技术与应用 | 基于介电屏蔽效应的h-BN/MoS2异质结光伏材料性能增强研究

技术与应用 | 基于介电屏蔽效应的h-BN/MoS2异质结光伏材料性能增强研究

技术与应用 | 弯曲应力作用下MLCC断裂失效机理研究

技术与应用 | 弯曲应力作用下MLCC断裂失效机理研究

技术与应用 | 基于背接触界面工程的硒化锑太阳电池性能提升机制研究

技术与应用 | 基于背接触界面工程的硒化锑太阳电池性能提升机制研究

过往期刊

电子元件与材料

电子元件与材料

电子元件与材料

电子元件与材料

电子元件与材料

电子元件与材料

电子元件与材料

猜你喜欢

科学之友

光学精密工程

科幻立方

物流研究

江苏科技报·E教中国

河北科技大学学报(社会科学版)

地震研究

西北师大学报（社会科学版）

安徽机电职业技术学院电子阅览室

安徽机电职业技术学院电子阅览室

新用户注册

注册成功

修改电子邮件