研究与试制 | 基于氧化锌纳米线的光电突触及其类脑功能模拟
研究与试制 | 基于氧化锌纳米线的光电突触及其类脑功能模拟
摘要:针对神经形态硬件对低功耗、低成本制造的迫切需求,采用低温水热法在Si/SiO2衬底上制备出垂直取向ZnO纳米线阵列。XRD、SEM与PL光谱表征证实,该阵列具备优异的c轴择优取向,同时富含深能级氧空位缺陷。借助氧空位诱导的持续光电导(PPC)效应,器件在0.5V低读取偏压下,可精准模拟兴奋性突触后电流(EPSC)、双脉冲易化(PPF),并实现短时程记忆向长时程记忆的转变。尤为关键的是,该器件