器件制备及器件物理 | 超辐射发光二极管制备技术与研究进展
器件制备及器件物理 | 超辐射发光二极管制备技术与研究进展
摘要:超辐射发光二极管(Superluminescent diode, SLD)基于单程的自发辐射放大现象,具有高输出功率、宽发光光谱、弱相干性等特点,在生物医学成像、精密仪器、光纤通信等领域具有广阔的应用前景,是第三代半导体光电子器件的研究热点。本文从有源材料设计、波导结构调控、光学端面优化三个角度出发,详细综述了SLD器件的核心制备技术及研究现状。通过多种技术手段相融合,SLD器件在性能、稳定性和集成度上不断实现突破。在此基础上,归纳总结了其在光学相干断层扫描、干涉式光纤陀螺仪和光纤传感器系统等领域的应用进展,展现了SLD器件的独特优势。最后,简要分析了SLD器件研究中面临的主要问题并对其未来发展方向进行了展望。