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基于开通延时变化的多芯片IGBT 模块部分芯片失效监测方法-重庆大学学报2025年03期

基于开通延时变化的多芯片IGBT 模块部分芯片失效监测方法

作者:罗丹 陈民铀 赖伟 李涵锐 夏宏鉴 字体:      

摘要:多芯片绝缘栅极双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块被广泛应用于大功率变换器中,对其进行状态监测可以有效提高电力设备可靠性。文中提出了一种基于开通延时变化的多芯片IGBT 模块部(试读)...

重庆大学学报

2025年第03期