摘 要：随着集成电路特征尺寸的不断缩减，存储电路中单粒子效应造成的多节点翻转的概率越来越大，严重影响了电路的可靠性。因此，为了增加存储电路的抗辐射加固能力和可靠性，提出一种三节点翻转加固锁存器TNU（试读）...
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