摘 要：凭借二维器件仿真，从器件内部电子分布角度，直观且系统地展示了InAlN/GaN高电子迁移率晶体管直流特性上短沟道效应的发生。结果显示栅长（LG）缩短会减小栅极对栅下的电导率调控范围，同时由VDS产生的源（试读）...
登录
